歐盟第七研發框架計劃(FP7)信息通訊技術(ICT)主題資助850萬歐元的研發項目HELIOS“互補金屬氧化物半導體的光電子功能集成”,在近期的研究過程中取得了重大的創造性突破。由法國原子能委員會電子與信息技術實驗室(CEA-Leti)科研人員領導的,歐盟成員國法國、英國和比利時科技人員共同參與的研究團隊,研發出世界上*個硅基材料可調諧發射器,從而邁出了整體集成硅基發射/接收器(Tranceivers)的關鍵一步。研究結果在近日美國洛杉磯舉行的“2012光纖通訊大會”上,正式對外宣布。
硅光子學是一項功能強大的新興技術學科,硅光子學具備大規模制造互補金屬氧化物半導體(CMOSs)光子器件的潛力,但光子器件制作目前因技術的缺乏而造價昂貴。此外,硅光子學的另一項重要障礙,是作為CMOSs基本材料的硅基光子源,制約了硅光子學的進一步發展。
研究團隊的科研人員首先研制出一臺新型調節器,利用該調節器制作出單一波長的可調諧激光器,20攝氏度溫度下的臨界電流20mA,調諧幅度45nm,超過調諧范圍的側模壓抑率(Side Mode Suppression Ratio)大于40dB。然后,科研人員將主動發光源必須的CMOS III-V型材料嵌入到一個硅晶片上,進行同時加工處理,如此,兩項加工一次性處理完成。盡管加工過程中仍然采用傳統的CMOS加工工藝,但新方法可以同時直接將主動發光源嵌入到硅晶片上。
科研人員在硅基材料上集成可調諧激光器、調節器和被動波導的能力,開辟了進一步開發硅基發射/接收器的有效途徑,從而滿足各方面的需求:大城市群網絡、互聯網接入、服務器、數據中心、高性能計算機、以及光互聯,實現光通訊的*變革。
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